Ce projet consiste en l’étude des dommages induits par la gravure par plasma sur les flancs des motifs de semi-conducteurs III-V, afin de développer des solutions technologiques innovantes capables de les minimiser. Nous cherchons à mieux comprendre par quels mécanismes et dans quelle mesure les procédés de gravure plasma modifient les flancs des motifs de semi-conducteurs III-V et les conséquences que cela induit sur les propriétés optiques des dispositifs. Le semi-conducteur étudié sera l’Al0.17Ga0.83As qui possède d’excellentes propriétés opto-électroniques et un gain paramétrique non-linéaire fort. Le PostDoc se focalisera sur la compréhension des mécanismes d’endommagement par gravure plasma. Il s’agira de déterminer quels sont les paramètres clés de la gravure plasma qui influencent les changements structuraux et chimiques observés sur les flancs de l’Al0.17Ga0.83As ainsi que les changements des propriétés optiques. Cela nécessitera le développement d’une méthodologie de caractérisation 3D quantitative à l’échelle nanométrique des flancs de gravure, basée sur la microscopie Auger et la cathodoluminescence. L’objectif sera ensuite de corréler les défauts structuraux induits par gravure plasma aux modifications des propriétés optoélectroniques. Enfin, le travail consistera à développer un procédé de gravure plasma permettant de minimiser les dommages induits sur les flancs, en explorant des techniques innovantes et alternatives. Des procédés de restauration et de passivations de ces flancs seront aussi étudiés.