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SOI

"Silicon On Isolant" ou silicium sur isolant. Couche mince de silicium, allant de 50 nm à quelques µm d'épaisseur, déposée sur un isolant comme le saphir, la silice ou sur rien (Silicon On Nothing). Ce matériau est utilisé en particulier pour réaliser des transistors opérant à de hautes fréquences.

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