Dans la grande famille des semiconducteurs, les éléments de la colonne IV tiennent une place de choix dans les technologies du numérique. Même si d’autres matériaux offrent potentiellement une meilleure alternative lorsqu’il s’agit d’utiliser la lumière pour le traitement de l’information, rien n’a arrêté jusqu’à aujourd’hui les développements et perfectionnements de ces technologies sur la plateforme silicium. Dans ces conditions, l’absence de toute source de lumière intégrée monolithiquement a longtemps été considérée comme un frein au développement de composants mêlant photonique et électronique sur ce matériau. Dans cette présentation, je reviendrai sur les recherches passées visant à transformer radicalement le diagramme de bande de nanostructures de germanium, sous forme de microfils ou de couches épitaxiées sur Si, à l’aide de l’ingénierie de déformation de la maille cristalline, afin de disposer d’un semiconducteur IV à bande interdite fondamentale directe. Les progrès en croissance cristalline aidant, nous verrons dans un second temps que cette configuration peut dorénavant être obtenue sur une nouvelle famille d’alliages du groupe IV, du type SiGeSn, et ce sans l’assistance de la déformation. Cette caractéristique remarquable ouvre de nombreuses perspectives, au premier rang desquelles la réalisation de sources laser infrarouge fonctionnant à haute température, dans une filière compatible CMOS. Après avoir décrit nos premiers résultats et réalisations dans ce domaine, nous donnerons plusieurs pistes prospectives qu’ouvre cette nouvelle classe d’alliages pour l’optique et l’électronique sur Si.