Le développement des Big Data, AI et 5G a été rendu possible par les progrès technologiques des systèmes de calcul et des mémoires haute performance. Par comparaison à la technologie silicium, les mémoires magnétiques à accès aléatoire (MRAM) ont donné des résultats prometteurs sur des indicateurs clé. L'un de ces systèmes, la Spin-Orbit Torque MRAM (SOT-MRAM), pourrait permettre un calcul plus rapide à consommation moindre. Les SOT-MRAMs fonctionnent en injectant un courant de charge dans une couche métallique comme le platine. L'oxydation de cette couche métallique a été proposée comme méthode pour augmenter l'efficacité de ces SOT-MRAM. Nous étudions ici les mécanismes physiques mis en jeu : bien que l'oxydation augmente l'efficacité au niveau du système, cet effet n'est pas intrinsèque à l'oxyde de platine mais résulte de changements systémiques dus à l'oxydation. Ce résultat est d'une grande importance pour l’intégration des SOT-MRAM.