"Les composants de puissance à base de GaN commencent à être progressivement mis sur le marché. Cette nouvelle technologie permet de concevoir des convertisseurs fonctionnant à plus haute fréquence et avec une efficacité de conversion supérieure aux composants traditionnels en Si (https://www.littleboxchallenge.com).Dans l'état actuel, seuls des transistors GaN sont disponibles à la vente et avec des caractéristiques courant/tension limitées.Pour les diodes à base de GaN, des améliorations technologiques sont en cours qui permettront d'augmenter les performances d'une large gamme de convertisseurs (e.g. buck, boost).L’objectif du stage sera de réaliser une analyse statistique de mesures électriques afin d’évaluer les performances des diodes GaN du LETI et d’identifier les briques technologiques à optimiser. L’analyse s’appuyera sur une première modélisation physique qui sera à développer. Les réflexions et résultats obtenus pourront être valorisés sous la forme de publications et brevets à l'initiative du candidat. "