Vous êtes ici : Accueil > SL-DRT-23-0739

Theses

SL-DRT-23-0739

Publié le 26 août 2023
SL-DRT-23-0739
DomaineMatériaux et procédés émergents pour les nanotechnologies et la microélectronique

Domaine-SElectronique et microélectronique - Optoélectronique

ThèmeDéfis technologiques

Theme-SSciences pour l’ingénieur

Domaine de recherche
Matériaux et procédés émergents pour les nanotechnologies et la microélectronique Défis technologiques Electronique et microélectronique - Optoélectronique Sciences pour l’ingénieur DRT DCOS S3C LTA Grenoble
Intitule du sujet
Exploration de nouvelles structures épitaxiales pour la montée en fréquence du HEMT GaN/Si 200mm
Résumé du sujet
Aujourd’hui, les amplificateurs GaN en bande millimétrique (30GHz et +) sont basés sur les composants HEMT GaN/SiC (High Electron Mobility Transistor) en raison de la conductivité thermique et résistivité électrique élevées du SiC, de la maturité de cette technologie mais aussi d’innovations au niveau de l’épitaxie III-N. La technologie GaN/Si tente de concurrencer cette technologie GaN/SiC et des publications récentes (OMMIC 150mm, INTEL 300mm, …) montrent aussi un fort potentiel pour cette bande de fréquence en utilisant des barrières avancées (AlN, InAlN). Afin d’obtenir des performances en puissance RF jusqu’à 100 GHz, l’empilement épitaxial III-N/Si doit être optimisé pour permettre l'intégration de grilles très courtes (Lg < 150mm): 1- Il faut diminuer l’épaisseur de barrière (a
Formation demandée
Ecole d’ingénieur, Master en dispositifs à semiconducteurs, transistors RF, technologie GaN Direction de la Recherche Technologique
Informations
Département Composants Silicium (LETI) Service des Composants pour le Calcul et la Connectivité Laboratoire des Transistors Avancés
Université/école doctorale
Lille I
Directeur de thèse
INSIS
Personne à contacter par le candidat
MORVAN Erwan CEA DRT/DCOS//LTA CEA Leti Commissariat à l’énergie atomique et aux énergies alternatives 17, rue des Martyrs 38054 Grenoble cedex 9 0438781013 erwan.morvan@cea.fr
Date de début souhaitée09/01/2023

Go back to list