SL-DRT-23-0739
| Domaine | Matériaux et procédés émergents pour les nanotechnologies et la microélectronique
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| Domaine-S | Electronique et microélectronique - Optoélectronique
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| Thème | Défis technologiques
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| Theme-S | Sciences pour l’ingénieur
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| Domaine de recherche | Matériaux et procédés émergents pour les nanotechnologies et la microélectronique
Défis technologiques
Electronique et microélectronique - Optoélectronique
Sciences pour l’ingénieur
DRT
DCOS
S3C
LTA
Grenoble
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| Intitule du sujet | Exploration de nouvelles structures épitaxiales pour la montée en fréquence du HEMT GaN/Si 200mm
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| Résumé du sujet | Aujourd’hui, les amplificateurs GaN en bande millimétrique (30GHz et +) sont basés sur les composants HEMT GaN/SiC (High Electron Mobility Transistor) en raison de la conductivité thermique et résistivité électrique élevées du SiC, de la maturité de cette technologie mais aussi d’innovations au niveau de l’épitaxie III-N.
La technologie GaN/Si tente de concurrencer cette technologie GaN/SiC et des publications récentes (OMMIC 150mm, INTEL 300mm, …) montrent aussi un fort potentiel pour cette bande de fréquence en utilisant des barrières avancées (AlN, InAlN).
Afin d’obtenir des performances en puissance RF jusqu’à 100 GHz, l’empilement épitaxial III-N/Si doit être optimisé pour permettre l'intégration de grilles très courtes (Lg < 150mm):
1- Il faut diminuer l’épaisseur de barrière (a |
| Formation demandée | Ecole d’ingénieur, Master en dispositifs à semiconducteurs, transistors RF, technologie GaN
Direction de la Recherche Technologique
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| Informations | Département Composants Silicium (LETI)
Service des Composants pour le Calcul et la Connectivité
Laboratoire des Transistors Avancés
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| Université/école doctorale | |
| Directeur de thèse | |
| Personne à contacter par le candidat | MORVAN
Erwan
CEA
DRT/DCOS//LTA
CEA Leti
Commissariat à l’énergie atomique et aux énergies alternatives
17, rue des Martyrs
38054 Grenoble cedex 9
0438781013
erwan.morvan@cea.fr
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| Date de début souhaitée | 09/01/2023 |