L’utilisation du diamant en tant que semi-conducteur est motivé par ses propriétés intrinsèques (bande interdite, conductivité thermique, mobilité des porteurs de charge, champ électrique critique) qui en font un candidat de choix pour les application haute tension (>6500 V). Un des verrous majeurs pour l’obtention de composants de puissance compétitifs à base de diamant est l’efficacité des terminaisons périphériques. Celles-ci sont nécessaires pour relaxer le champ électrique au bord des électrodes des dispositifs, sans quoi les tenues en tension des composants sont fortement dégradées. L’état de l’art sur ce sujet est relativement peu développé et l’efficacité des terminaisons démontrées sont loin des standards en électronique de puissance. Ce sujet propose donc d’explorer les solutions technologiques possibles pour augmenter l’efficacité des terminaisons périphériques sur des composants diamants (diodes Schottky, PN, PiN, FET) fabriqués essentiellement au LAAS (CNRS) et caractérisées en partie au CEA Leti. À l’aide de ces dispositifs expérimentaux, des modèles doivent être développés pour mieux comprendre les phénomènes physiques mis en jeu.