Les matériaux III-V et en particulier l’InP connaissent un essor important dans le domaine de la microélectronique grâce à leurs propriétés optiques et électriques. Cependant, ces matériaux sont à la fois rares et couteux et il est donc primordial d’améliorer le rendement des dispositifs créés afin de réduire les déchets. Des procédés de nettoyage efficaces diminuant la défectivité en surface doivent donc être développés. L’objectif principal de la thèse sera l’étude de la modification des propriétés physico-chimiques de la surface de l’InP suites à différents traitements chimiques. On cherchera à développer des solutions de désoxydation, passivation et nettoyage des surfaces d’InP en associant des étapes de chimie et des prétraitements in-situ (plasma par exemple). La stabilité de la surface de l’InP sera étudiée afin de comprendre les mécanismes en jeu en fonction de paramètres tels que : état de surface initial, chimies, exposition à une atmosphère donnée. Les résultats permettront l’amélioration des performances des dispositifs optiques et électroniques (lasers, transistors HBT) ainsi que la montée en maturité des nouveaux types de substrat à base de matériaux III-V. Les expériences seront réalisées en salle blanche sur les paillasses de chimie et sur des équipements. Les échantillons pourront être caractérisés par inspection optique, ellipsométrie, AFM, XPS.