La croissance du graphène sur un substrat magnétique s'est révélée infructueuse pour une utilisation en spintronique en raison de l'incompatibilité de leurs conductivités électriques. C'est pourquoi les chercheurs de l'Inac se sont intéressés à l'interaction d'échange par proximité entre un feuillet de graphène et un matériau magnétique isolant pour doter le graphène de propriétés magnétiques.
Grâce à des calculs ab-initio, des chercheurs de l'Inac ont comparé les effets d'échange-proximité induits dans le graphène par quatre composés : deux chalcogénures d'europium ferromagnétiques (EuO, EuS) et deux isolants ferrimagnétiques (CFO ou CoFe2O4, YIG ou Y3Fe5O12).
La structure de bandes électroniques du graphène est modifiée comme souhaité pour tous les composés, avec un dopage négatif pour les chalcogénures d'europium et d'yttrium et un dopage positif pour CFO.
Ces résultats obtenus dans le cadre du programme européen Graphene Flagship permettent d'envisager la conception de portes logiques de spin à l'aide d'effets de proximité dans le graphène.