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Un micro-écran d’une résolution exceptionnelle


​Le Leti, institut de CEA Tech et institut Carnot, a présenté le micro-écran GaN doté de la plus haute résolution jamais atteinte pour un pas de pixel de 10 microns au Display Week 2017. Une avancée rendue possible par plusieurs innovations combinées.

Publié le 28 septembre 2017

Le micro-écran GaN présenté par le Leti à la Display Week qui s'est tenue à Los Angeles du 23 au 25 mai 2017 a fait sensation. Et pour cause : il est le tout premier au monde à afficher une résolution de 873 pixels par 500, au pas de 10 microns !

Cette prouesse, réalisée en collaboration avec le III-V Lab, a été rendue possible par plusieurs avancées technologiques et les moyens de ressourcement Carnot. D'abord, la mise au point d'une matrice de micro-LED de GaN elle-même dotée de ces caractéristiques, grâce à la mise au point d'une technique de fabrication auto-alignée brevetée. Il a ensuite fallu l'assembler à une matrice active CMOS, c'est-à-dire un circuit intégré dont le rôle est de piloter chaque LED individuellement afin d'écrire l'image. Pour coupler les deux, les chercheurs ont développé une technique d'hybridation spécifique consistant à placer des microtubes métalliques sur la matrice active, lesquels viennent s'insérer sur des plots de métal déposés quant à eux au niveau de chacune des LED, par l'application d'une simple pression mécanique opérée à température ambiante.

Prochaines étapes : passer d'un écran monochrome à un écran couleur, et poursuivre le développement d'une approche de fabrication très innovante (sans alignement) qui permettra de réduire le pas de pixel jusqu'à trois microns. « Egalement présentée au Display Week, cette technique s'affranchit de l'étape d'hybridation, laquelle limite actuellement la réduction du pas de pixel, » explique un chercheur. A suivre !

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