PsD-DRT-12-0030
| Domaine de recherche | Electronique et microélectronique - Optoélectronique
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| Domaine-S |
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| Thème | Sciences pour l’ingénieur
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| Theme-S |
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| Domaine | Electronique et microélectronique - Optoélectronique
Sciences pour l’ingénieur
DRT
DCOS
SITEC
LAPS
Grenoble
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| Intitulé de la proposition | Etude des contraintes thermomécaniques sur transistor HEMT AlGaN/GaN sur silicium.
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| Resumé | Les procédés de fabrication utilisés pour les HEMT AlGaN/GaN sont complexes et entrainent la formation de nombreux défauts cristallins. Ces contraintes présentes dans la couche GaN peuvent engendrer des fissurations dans le film GaN ou des délaminations aux interfaces supérieures. D’autre part, ces contraintes mécaniques couplées à des contraintes thermiques de fonctionnement risquent de conduire à une fragilité et à une dégradation des performances électriques du dispositif. Cet assemblage hétérogène présente un comportement complexe. Les matériaux utilisés réagissent différemment aux contraintes thermomécaniques.
Le travail de ce postdoc consiste à étudier et à modéliser les déformations de cet ensemble, afin d’évaluer l’impact de ces contraintes sur les performances électriques des dispositifs latéraux et verticaux
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| Informations pratiques | Département Composants Silicium (LETI)
Service Intégrations et Technologies pour les conversions d'énergies
Laboratoire des composants de Puissance à Semiconducteur
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| Date début de la proposition | 09/01/2012 |
| email personne à contacter | christel.buj@cea.fr
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| Personne à contacter | BUJ
Christel
CEA
DRT/DCOS/SCME/LC2E
CEA-DRT-LETI Minatec Campus
DCOS/SCME/LC2E
17 rue des Martyrs
38054 GRENOBLE CEDEX9
0438780860
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