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Postdocs

PsD-DRT-17-0017

Publié le 7 décembre 2023
PsD-DRT-17-0017
Domaine de rechercheElectronique et microélectronique - Optoélectronique

Domaine-S

ThèmeSciences pour l’ingénieur

Theme-S

Domaine
Electronique et microélectronique - Optoélectronique Sciences pour l’ingénieur DRT DCOS SITEC LAPS Grenoble
Intitulé de la proposition
Optimisation du cascode monolithique de puissance en technologie MOS-ChannelHEMT GaN/Si
Resumé
Afin de répondre au besoin de la conversion d’énergie, notamment pour les applications automobile ou photovoltaïque, la technologie des transistors de puissance GaN/Si s’oriente aujourd’hui vers des composants E-mode avec des performances agressives en termes de tension de seuil (>2V), de courant nominal (100-200A), de tension de claquage (650 et 1200V) et d’immunité au phénomène de « current collapse ». Le cascode discret est assez largement utilisé aujourd’hui pour répondre à ce besoin (Transphorm, On-Semi, NXP, IR…) mais il présente certains problèmes spécifiques (inductances parasites, appairage, composants additionnels, coût, fonctionnement limité en température lié à la puce Si …). Le cascode monolithique est une version très compacte du cascode qui doit permettre d’éviter ces problèmes mais aussi d’améliorer les performances des transistors E-mode intrinsèques (MOS-C HEMT ) étudiés au Leti. D’autres acteurs du GaN ont d’ailleurs suivi une approche similaire sur une autre technologie E-mode intrinsèque de type p-GaN gate, sans nécessairement l’afficher comme telle. Le Leti a fait récemment la démonstration de ce cascode monolithique dans le cadre d’une thèse 2014-2016 sur la base de sa technlologie MOS-C HEMT, compatible C-MOS en GaN/Si 200mm. Ce post-doc propose d’optimiser ce composant dans la continuité des travaux de thèse. Il doit permettre d’améliorer les performance de ces transistors en terme de Ron, Ron.specifique, pertes de commutation et fréquence de fonctionnement afin de répondre au besoin de nos partenaires industriels.
Informations pratiques
Département Composants Silicium (LETI) Service Intégrations et Technologies pour les conversions d'énergies Laboratoire des composants de Puissance à Semiconducteur
Date début de la proposition02/01/2017
email personne à contactererwan.morvan@cea.fr
Personne à contacter
MORVAN Erwan CEA DRT/DCOS//LTA CEA Leti Commissariat à l’énergie atomique et aux énergies alternatives 17, rue des Martyrs 38054 Grenoble cedex 9 0438781013

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