"Français:Les composants de puissance à base de GaN commencent à être progressivement mis sur le marché. Cette nouvelle technologie permet de concevoir des convertisseurs fonctionnant à plus haute fréquence et avec une efficacité de conversion supérieure aux composants traditionnels en Si (https://www.littleboxchallenge.com).Dans l'état actuel, seuls des transistors GaN sont disponibles à la vente et avec des caractéristiques courant/tension limitées.Pour les diodes à base de GaN, des améliorations technologiques sont en cours qui permettront d'augmenter les performances d'une large gamme de convertisseurs (e.g. buck, boost).L’objectif du stage sera de réaliser une analyse statistique de mesures électriques afin d’évaluer les performances des diodes GaN du LETI et d’identifier les briques technologiques à optimiser. L’analyse s’appuiera sur une première modélisation physique qui sera à développer. Les réflexions et résultats obtenus pourront être valorisés sous la forme de publications et brevets à l'initiative du candidat. English:The market share of GaN-based power components is gradually increasing. This new technology allows to implement power converters that operate at a higher frequency and with an increased efficiency with respect to standard Si-based devices (https://www.littleboxchallenge.com).Currently, only GaN transistors are for sale and with limited current/voltage characteristics. Regarding GaN-based diodes, technological improvements are in progress that will allow to increase the performance of a wide range of converters (e.g. buck, boost).The goal of this internship will be to conduct a statistical analysis of electrical measurements in order to evaluate the performance of GaN diodes developed at LETI and to identify the building blocks that should be optimized. The analysis will be based upon a preliminary physical model that can be refined during the course of the work. The candidate will be encouraged to publish and patent, when suitable, the results obtained throughout the study."