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Etude et Optimisation de la régulation en température d'une tranche de Si dans le procédé de retrait SiO2 par HF vapeur pour les applications MEMS.
Publié le 7 décembre 2023
Etude et Optimisation de la régulation en température d'une tranche de Si dans le procédé de retrait SiO2 par HF vapeur pour les applications MEMS.
| Référence | 3386225 |
| Domaine scientifique | Matériaux |
| Spécialité | Matériaux |
| Moyens | Ellipsométrie, Plan d'expérience |
| Compétences Informatiques | Anglais -Word, Excel, PowerPoint |
| Mots clés | Mesures physique |
| Durée du stage | |
| Lieu | Grenoble |
| Localisation | Région Rhône-Alpes (38) |
| Formation | BTS/DUT |
| Niveau d'étude | Bac + 2 |
| Thèse possible | 0 |
| Date de diffusion | |
| Description du stage | " Le procédé de libération par HF en phase vapeur est couramment utilisé pour les technologies MEMS et NEMS actuelles. L'un des paramètres influent majeur dans la vitesse de libération et le contrôle du phénomène de stiction des microstructures est la température à laquelle la tranche de Si. Ici l'étude porte sur l'influence de la phase de thermalisation de la plaque de Si sur la vitesse de libération avec pour objectif l'établissement du temps minimum nécessaire (optimisation) pour s'assurer de la stabilité thermique." |
| Email tuteur | alain.campo@cea.fr |
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