Dans l'industrie de la microélectronique, l'ingénierie des contraintes est désormais l'un des leviers pour augmenter les performances de transistor MOS au même titre que la réduction des dimensions. Cette contrainte mécanique, induite sur le canal du transistor, va affecter la mobilité des porteurs par modifications des structures de bandes de conduction et de valence. Cette contrainte peut être introduite grâce à l'utilisation de film épitaxié de type SiGe ou SiC au niveau du canal ou des sources et drains. Le niveau de contrainte appliqué est fonction du % de Ge ou de C introduit dans le Si, mais aussi des dimensions de la structure. Il est aussi étroitement lié aux différentes étapes de fabrication (traitements thermiques…) que subit le composant. La caractérisation de ces contraintes est donc essentielle afin de valider les performances des transistors. Dans le cadre du projet IRT nanoélectronique/Grands instruments (partenariat LETI/ESRF/ILL), la ligne BM05 de l'ESRF (synchrotron européen sur Grenoble) a été up-gradée afin de répondre aux besoin de caractérisation fine de l'industrie de la microélectronique. Cette ligne de lumière propose des faisceaux (rayons X) de très haute énergie (25 keV) et de dimensions (20-100 ums) compatible avec la dimension des boites de mesure disponibles sur les substrats. Notamment les faisceaux X de haute énergie permettent de travailler en mode transmission, i.e. au travers du substrat. Par opposition aux configurations plus classique en réflexion, cette approche permet de minimiser l'empreinte du faisceau sur l’échantillon et donc de travailler sur de toutes petites zones. Cela ouvre l'opportunité de développer une méthodologie originale d'analyse des contraintes dans des réseaux de lignes en SiGe. L'objectif du stage sera de mettre en place cette méthodologie d'analyse des contraintes en mode transmission et d'en déterminer les capacités et limitations. Ce stage est l'opportunité de travailler sur l'un des synchrotrons les plus performants au monde en lien avec la plateforme de nano- caractérisation (PFNC) du CEA LETI.