"La technologie CMOS en Fully-Depleted-Silicon-On-Insulator (FDSOI) est maintenant en production aux noeuds technologiques 28nm et 22nm a STMicrolectronics et Global Foundries [http://www.soiconsortium.org/fully-depleted-soi/presentations/SOI-Consortium-FD-SOI-Symposium-Sanjose-2016]. Le grand avantage de cette technologie, comparée à l'alternative en finFET et la possibilité de jouer sur la polarisation du substrat (caisson), comme une grille de commande supplémentaire, pour modifier les caractéristiques électriques du transistor. Cet avantage permet de diminuer la puissance dynamique consommée et rend donc cette technologie ultra-compétitive, notamment pour les applications à faible cout, faible consommation comme l'internet des objets qui devrait être le marché électronique porteur des prochaines années.En vue de profiter et d'étendre cette possibilité de jouer sur la polarisation arrière pour les prochains noeuds technologiques, des solutions ont été développées en technologie planaire [L. Grenouillet et al, IEDM'12]. Et les opportunités sont encore plus nombreuses en 3 dimensions, dans une intégration 3D.Le LETI est pionnier dans l'intégration CMOS en 3D [P. Batude et al., VLSI'15]. Nous avons développé la technologie, de même que des kits de conceptions (""design kits"", incluant modèles compacts, extraction parasites et bibliothèque de cellules standards) de façon à étudier et comparer cette architecture non seulement pour la nano-électronique avancée (More Moore) mais aussi pour la diversification (More than Moore).Le but de ce stage de master est d'étudier l'intérêt de la technologie 3D monolithique (appelée CoolcubeTM au LETI) pour améliorer le pilotage par la polarisation arrière d'une technologie à film mince en FDSOI. Plus précisément, l'étudiant analysera si CoolCubeTM peut permettre d'étendre une bibliothèque de cellules standards 3D CMOS 14nm développée au LETI en intégrant des cellules spécifiques à ultra-faible tension d'alimentation. Cette étude est entre la technologie, le dispositif et la conception de circuit. "