Développement d’une technique de mesure d’épaisseur nanométrique par Electrons Rétrodiffusés, pour des applications de lithographie avancée
Référence | 3386337 |
Domaine scientifique | Physique |
Spécialité | Métrologie |
Moyens | Méthode d'analyse: CD-SEM, SEM, ellipsomètre |
Compétences Informatiques | |
Mots clés | Microélectronique, lithographie, physique, matériaux |
Durée du stage | 6 mois |
Lieu | Grenoble |
Localisation | Région Rhône-Alpes (38) |
Formation | Ingénieur/Master |
Niveau d'étude | Bac + 4/5 |
Thèse possible | 0 |
Date de diffusion | |
Description du stage | "Le LETI, institut du CEA Tech de Grenoble, travaille à la mise au point de techniques de lithographie à bas coût, pour la microélectronique, au sein de son service Patterning de la plateforme Silicium . Parmi les techniques développées, le Direct Self Assembly (DSA) et le NanoImprint nécessitent de nouveau développements métrologiques en vue d'un transfert sur des Lignes Pilotes.Dans le contexte de l'arrivée d'un nouvel équipement de type CD-SEM, nous proposons un sujet d'étude de 6 mois pour un élève ingénieur. Il porte sur la caractérisation de couches de résine résiduelles en fond de guide ou entre réseaux de lignes. L'objectif du projet est d'évaluer la possibilité de mesurer une épaisseur résiduelle, de manière rapide et non destructive, par imagerie d'électrons rétrodiffusés (BSE) sur un CDSEM (microscope électronique à balayage de mesure de dimensions critiques) de dernière génération. Dans cette tâche, un plan expérimental ainsi qu'une méthodologie d'acquisition et d'analyse d'images seront à développer afin d'obtenir des valeurs fiables en fonction des différents matériaux et structures utilisées. Une attention particulière sera apportée à l'optimisation de la reproductibilité de mesure, sa justesse et sa résolution tout en tenant compte de la modification des matériaux sous faisceau d'électrons. L'approche retenue devra être calibrée à l'aide d'autres techniques telles que la microscopie électronique à balayage en coupe transverse et l'éllipsométrie. Pour mener à bien et coordonner ce travail, le candidat sera amené à de fréquents échanges avec les membres de différentes équipes de métrologie et de développement en lithographie avancée. http://www.leti.fr/fr/Decouvrez-le-Leti/Les-plateformes-d-innovation/Plateformes-MOS-et-MEMS " |
Email tuteur | cyril.vannuffel@cea.fr |