"La gravure par faisceau d'ions est peu utilisée en microélectronique pour cause la non sélectivité des procédés et des états de surface peu compatibles avec les composants microélectroniques. En effet, il est couramment utilisé des faisceaux d'ions non réactifs dans la réalisation de microsystèmes et de dispositifs optoélectroniques où l'on cherche à usiner des matériaux que l'on ne sait pas graver autrement. L'objectif de cette étude est d'étudier cette gravure par faisceau d'ions en utilisant des gaz réactifs et les différentes possibilités offerte par notre équipement. Cette technique pourrait devenir une alternative à la gravure par plasma standard lorsqu'il s'agit de réaliser des motifs nécessitant une gravure à forte anisotropie pour des technologies CMOS avancées. Au LETI, nous souhaitons explorer des applications à cette technique. Deux applications ont été retenues : l'amélioration de la rugosité des motifs réalisés et la sélectivité de gravure entre matériaux. Pour en améliorer la sélectivité et la rugosité des surfaces traitées, les objectifs du stage seront : - Évaluer les différentes possibilités de gravure sur différents matériaux et différents empilements. La sélectivité sera évaluée aux moyens de caractérisations in situ et ex situ. - Caractériser les états des surfaces gravées grâce aux moyens disponibles sur la plateforme de caractérisation du LETI. Le stagiaire évoluera dans un environnement salle blanche, il aura accès aux équipements d'usinage par faisceau d'ions, de gravure plasma ainsi qu'aux outils de caractérisations adéquates : ellipsométrie (IR,UV,VUV) et profilométrie ainsi que les outils de caractérisations morphologiques (MEB) et AFM. "