"Le LETI est engagé dans le développement de dispositifs de puissance sur GaN. Ces dispositifs ont comme objectifs de réaliser des fonctions d'interrupteur solide apte à tenir des tensions de plusieurs centaines de Volt à l'état ouvert, et présentant des résistances séries très faibles à l'état fermé, cela avec des fréquences de fonctionnement proches du MHz. Parmi les applications on peut citer la voiture électrique, la gestion des parcs solaires, etc...Le LETI dispose d’une chaine de fabrication complète de wafers GaN 200 mm, associée à un large parc d’outils de caractérisations physiques et électriques.Toutefois, les défis associés au développement de ces technologies sont nombreux et complexes. Les substrats GaN présentent des défauts structuraux, et les multiples interfaces sont sources de pièges d’interface à même d’influer sur le comportement des dispositifs.La tenue en tension des dispositifs dépend à la fois de l’architecture du dispositif et de la structure de l’épitaxie GaN et de ses défauts.Le stage portera sur la caractérisation de cette tenue en tension en inverse. Pour ce faire, on disposera de différentes structures de test (Contact Ohmique sur GaN, Transistor HEMT, Diode sur substrat GaN, Capacité du transistor HEMT,...).On cherchera à établir le lien entre la tenue en tension mesurée sur le dispositif et la technologie de l'épitaxie GaN. Ce stage est appelé à se poursuivre en thèse.Le travail sera mené essentiellement sur banc de caractérisation électrique sous pointes avec différents outils d'analyse et de modélisation sous Mathcad. "