Vous êtes ici : Accueil > Développement de procédés de dopage via l’implantation ionique par immersion plasma pour les cellules photovoltaïques

Stages

Développement de procédés de dopage via l’implantation ionique par immersion plasma pour les cellules photovoltaïques

Publié le 7 décembre 2023
Développement de procédés de dopage via l’implantation ionique par immersion plasma pour les cellules photovoltaïques
Référence3386410
Domaine scientifiqueMatériaux
SpécialitéMatériaux
Moyens
Travail sur équipement industriel : implantation par immersion plasma, four de recuit rapide. Moyen des caractérisation physicochimique
Compétences Informatiques
-
Mots clés 
Durée du stage6 mois
LieuGrenoble
LocalisationRégion Rhône-Alpes (38)
FormationIngénieur/Master
Niveau d'étudeBac + 5
Thèse possible1
Date de diffusion 
Description du stage
"Dans le secteur du photovoltaïque, un des principaux objectifs est de réduire les coûts de production des cellules solaires. Cela passe par la simplification du procédé de fabrication et l'augmentation du rendement de conversion. Une des étapes clés du procédé est le dopage. Actuellement, en production, le dopage par diffusion est largement utilisé. Toutefois il a été montré que le dopage par implantation ionique permettait de diminuer le nombre d'étapes de fabrication tout en gardant de bons rendements. Notamment, une nouvelle technique de dopage, l'implantation ionique par immersion plasma, se révèle compétitive pour le domaine photovoltaïque avec des équipements faible coût et permettant d'atteindre de fortes cadences de production. Dans le cadre de la collaboration entre le LETI (www.leti.fr) et le LITEN/INES (http://liten.cea.fr/), nous évaluons l'intérêt de cette nouvelle technologie qui, associée à des techniques de recuit innovantes, pourrait permettre des gains significatifs en terme de performances et de simplicité du processus de fabrication des cellules. L'objectif du stage sera de développer les procédés d'implantation et de recuit pour le dopage de l'émetteur en face avant et du BSF (Back Surface Field) en face arrière des cellules photovoltaïques. Ce dopage sera réalisé par implantation ionique par immersion plasma associée à des techniques de recuit rapide à haute température. De plus, il s'agira d'étudier l'impact des paramètres de procédé (implantation et recuit) sur les caractéristiques des cellules en silicium monocristallin (profil de dopage, défauts, propriétés électriques).Après une recherche bibliographique exhaustive sur le sujet, et une formation à l'utilisation des équipements d'implantation, des fours de recuit et des moyens de caractérisation de la plate-forme, le candidat devra soumettre un plan de manip, réaliser les étapes technologiques et gérer les différentes caractérisations. En plus de ses connaissances acquises lors de sa formation, le candidat devra avoir un fort goût pour l'expérimentation sur des équipements de microélectronique de salle blanche, savoir s'intégrer rapidement au sein d'une équipe pluridisciplinaire et faire preuve d'une réelle organisation dans son travail. "
Email tuteurmarianne.coig@cea.fr

Retour à la liste