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Stages

Gravure de silicium polycristallin dans un réacteur LPCVD pour des procédés de nettoyage in-situ : Développement et caractérisation.

Publié le 7 décembre 2023
Gravure de silicium polycristallin dans un réacteur LPCVD pour des procédés de nettoyage in-situ : Développement et caractérisation.
Référence3386413
Domaine scientifiquePhysique
SpécialitéPhysique des matériaux
Moyens
Travail experimental sur équipement industriel : Mise en oeuvre des recette de gravure développées dans un réacteur LPCVD, caractérisation de la rugosité de surface (AFM, profilomètrie mécanique et optique), de l'épaisseur (ellipsometrie), etc.
Compétences Informatiques
Anglais, Français -Excel, PowerPoint, Word, OriginLab
Mots clésGravure, métrologie, LPCVD.
Durée du stage6 mois
LieuGrenoble
LocalisationRégion Rhône-Alpes (38)
FormationIngénieur/Master
Niveau d'étudeBac + 4/5
Thèse possible0
Date de diffusion 
Description du stage
"Le LETI est un acteur majeur des développements technologiques en micro et nanotechnologie (www.leti.fr). Ses programmes de recherche se font principalement en partenariat industriel. Pour réaliser ses programmes, le Leti s'appuie sur des moyens d'élaboration répondant aux standards industriels et sur des outils de caractérisation à l'état de l'art mondial. Le LETI est fortement impliqué dans le développement des microsystemes electro_mecaniques MEMS, dont les applications sont en forte expansion. Pour leur fabrication, des dépôts relativement épais (> 1µm) de silicium poly-cristallin sont souvent nécessaires. La réalisation de ces couches par LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) conduit à un cumul important de silicium sur les parois du réacteur, obligeant à des opérations de maintenance lourdes et fréquentes. Afin de proposer des solutions complètes et industrielles, en parallèle des études menées sur les procédés de dépôts LPCVD, le LETI développe en partenariat avec le fournisseur du réacteur, une procédure inédite de nettoyage in-situ du réacteur par gravure des couches accumulées. L'objectif du stage sera de contribuer au développement et à la qualification de procédés de nettoyage in-situ du réacteur LPCVD. Cette procédure de nettoyage sera réalisée par des traitements thermiques à basse pression et sous atmosphère riche en NF3. Plus particulièrement, il s'agira d'étudier l'impact de ce type de gravure sur des couches de poly-Si dopées ou non-dopées en termes de rugosité, vitesse de gravure, sélectivité, etc. On s'intéressera également à l'impact de la gravure sur le quartz afin de garantir la bonne tenue du réacteur et des nacelles. Ainsi, après une recherche bibliographique approfondie sur le sujet, et une formation à l'utilisation du réacteur LPCVD et des équipements de caractérisation de la plate-forme, le candidat devra soumettre un DOE, réaliser les tests nécessaires et les caractérisations pertinentes. Selon les échantillons, diverses techniques de caractérisations aussi bien optiques que physiques (ellipsométrie spectroscopique, AFM, SP2, SIMS, FTIR, WDXRF), et des mesures électriques (sheet resistance) seront utilisées pour évaluer les propriétés des couches. En plus des connaissances acquises lors de sa formation, le candidat devra avoir un fort goût pour le travail expérimental sur des équipements de la microélectronique en salle blanche, savoir s'intégrer rapidement au sein d'une équipe et faire preuve d'une grande rigueur et d'une bonne organisation dans son travail. "
Email tuteurpablo.acostaalba@cea.fr , sebastien.kerdiles@cea.f

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