Attaques/Modifications de circuits électroniques par rayons X
Référence | 3386631 |
Domaine scientifique | Electronique - Electricité |
Spécialité | Electronique |
Moyens | "Générateur X / Instrumentation/ Laser / Electronique / " |
Compétences Informatiques | |
Mots clés | Rayons X, Microélectronique, Physique des Semiconducteurs |
Durée du stage | 5 à 6 mois |
Lieu | Grenoble |
Localisation | Région Rhône-Alpes (38) |
Formation | Ingénieur/Master |
Niveau d'étude | Bac + 5 |
Thèse possible | 1 |
Date de diffusion | |
Description du stage | "Le laboratoire CESTI évalue la sécurité des composants électroniques. Pour cela, les composants sont attaqués par diverses méthodes, dont la modification physique du circuit à l'aide d'un FIB (Focused Ion Beam). Cet appareil peut graver des matériaux et déposer des isolants ou conducteurs. Il permet donc de modifier un circuit électronique en altérant les niveaux métalliques d'interconnexion et en re-déposant des nouvelles connexions. La mise en œuvre de l'attaque peut néanmoins se révéler très longue pour atteindre les transistors d'intérêt. Attaquer un circuit à l'aide de rayons X constitue une toute nouvelle modalité pour modifier localement le circuit. Leur grande pénétration dans la matière permet de s'affranchir de toutes les étapes de gravure du FIB. Des expérimentations préliminaires sur une ligne de lumière focalisée du synchrotron ESRF de Grenoble ont permis de montrer que l'utilisation de rayons X permet de forcer l'état d'un unique transistor d'un circuit électronique ou de changer la valeur d'un bit de mémoire, de façon semi-permanente : l'effet persiste après l'arrêt de l'irradiation, mais peut cependant être annulé, par exemple en chauffant le circuit (recuit). L'objectif du stage est d'améliorer cette méthode de modification de circuit en essayant de faire revenir le circuit dans son état avant l'attaque, si possible rapidement. Des recuits ont montré que c'était réalisable mais leur durée est encore beaucoup trop longue. Diverses pistes sont envisagées pour accélérer et améliorer les résultats, et réduire en taille le dispositif expérimental: pince chauffante locale, recuit laser. Le stagiaire évaluera, tant expérimentalement que théoriquement, ces diverses possibilités en étudiant le comportement de composants simples et variés voire de transistors uniques après irradiation X et après divers modes de recuits. Ce sujet pourra se poursuivre en thèse pour développer le potentiel de ces attaques, avec des créneaux potentiels sur des lignes de lumière X synchrotron. " |
Email tuteur | laurent.maingault@cea.fr |