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Motion GaN

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Publié le 19 août 2026

Credits: CEA

​​Motion GaN​​​

Premier micro-écran gan wvga à matrice active avec un pas de pixel de 10 μm.​


Les micro-écrans de demain devront offrir à la fois une haute résolution et une luminosité élevée (100 fois supérieure à celle des micro-écrans actuels) pour répondre à la demande croissante en applications de réalité augmentée. 

La technologie à base de GaN auto-émissive peut désormais offrir de telles performances ; le CEA-Leti a mis au point une technologie de micro-écran GaN haute résolution à pas de 10 μm en modélisant des matrices de micro-LED haute densité et en les hybridant sur des circuits CMOS grâce à sa technologie des micro-tubes.

Ce démonstrateur est un prototype monochrome (bleu ou vert) à matrice active doté d’une résolution WVGA de 873 x 500 pixels et d’un pas de pixel de 10 μm.​
En partenariat avec

Applications

Les écrans GaN présentent un certain nombre
de possibilités d'applications, notamment :


  • Lunettes de réalité augmentée pour grand public et professionnels
  • Affichages tête haute pour la mobilité/transport
  • Pico-projecteurs et projecteurs compacts



Avantages​
Ce prototype offre la résolution en pixels la plus élevée (873 x 500) associée au pas de pixel le plus petit jamais obtenu (10 μm).

Ces performances sont obtenues grâce :

  • à la modélisation de micro-LED perfectionnées haute résolution et à petit pas de pixel [Réf. 1]
  • à la technologie unique d'hybridation de micro-tubes du CEA-Leti, compatible avec des pas de pixel de 5 à 10 μm [Réf. 2].​

Réf 1 : L. Dupré et al. “Processing and characterization of high resolution GaN/InGaN LED arrays at 10 micron pitch for micro display applications” Proc. of SPIE Vol. 10104 (2017)

Réf 2 : F. Templier et al. “High-Brightness GaN LED Arrays Hybridized on Silicon Interconnect at a Pixel Pitch of 10 μm” (IDW/AD’14), December 3-5, Niigata,Japan (2014)​

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Prochaine étape
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  • Pas de pixel encore plus petits (< 5 μm)
  • Faisabilité d’un pas de 3 μm : processus en cours de développement, nouvelles conclusions présentées lors de la SID Display Week 2017
  • Un défi majeur : des micro-écrans GaN couleurs, pour lesquels des solutions sont actuellement mises au point, avec les premiers prototypes prévus pour 2018-2019
Points clés​

  • Innovation Award lors de la TechConnect World 2015, Washington DC
  • Prix du meilleur article lors de l'international Display Week (IDW)’16, à Fukuoka (Japon) en Dec.2016: “A new Approach for Fabricating High-Brightness GaN LED Microdisplays with High Resolution and Very Small Pixel-pitch” 
  • ​Le CEA-Leti possède plus de 10 brevets sur cette technologie.


Micro-écrans WVGA 5x8 mm du CEA-Leti​​​
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