La mission du candidat sera : • Simulation utilisant des outils ab-initio de la structure de bandes de nanofils de bismuth de différent diamètres (de 1 nm à 10 nm). • Extraction de paramètres tes que masses effectives, densité d’états, band offsets pour ces nanofils. • Implémentation de ces paramètres dans un simulateur NEGF pour simuler des transistors en nanofils de bismuth à diamètre variable. • Simulation ab-initio de l’interface nanofil de bismuth – diélectrique et étude de différents éléments de passivation chimique. • Ce travail se fera en collaboration avec le groupe LETI/DCOS/SCME/LSIM (Philippe Blaise) • Le candidat interagirera avec une équipe expérimentale qui fabriquera les dispositifs simulés et sera amené à aider à encadrer un ou plusieurs doctorants, en collaboration avec IMEP. • Le candidat interagirera avec le LTM pour les aider à prédire les propriétés de l’interface bismuth-isolant de grille et pour implémenter dans le simulateur les résultats de mesures sur ces interfaces (IMEP).