ÉVÉNEMENT
Découvrez les dernières avancées du CEA-Leti dans le domaine de la gravure plasma, du nettoyage et des technologies émergentes de fabrication de semi-conducteurs.
L’atelier réunit des scientifiques, ingénieurs et partenaires industriels pour échanger sur les avancées et défis du gravage sec, du traitement plasma et des technologies associées pour les semi-conducteurs, les MEMS et les applications émergentes.
DÉCOUVREZ LES RÉSULTATS SCIENTIFIQUES DU CEA-LETIAvec 5 papiers (dont un keynote), l’institut présentera cette année ses principaux résultats scientifiques à PESM 26, incluant les sujets suivants :
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Plates-formes photoniques avancées basées sur SOI, SiN et l’intégration hétérogène
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Développement d’un procédé de gravure plasma du GeTe pour des applications de commutateurs RF
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Gravure plasma HBr/H+ de films chalcogénures GeSe-GeTe pour la photonique intégrée : morphologie de structures pleines et structurées
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Gravure par ion réactif de guides d’onde en LiNbO₃ : influence de la chimie gazeuse fluorée sur la morphologie et les vitesses de gravure
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Étude des plasmas fluorés pour l’efficacité du nettoyage de chambre et la durabilité environnementale en microélectronique
Papiers scientifiques du CEA-Leti
NE MANQUEZ PAS LA PRÉSENTATION DE KARIM HASSAN SUR LES PLATES-FORMES PHOTONIQUES AVANCEES BASEES SUR SOI, SIN ET L’INTEGRATION HETEROGENE
Session 2: Plasma etching processes for more than Moore applications
Lundi 8 Juin, 13h00 - 13h30
Plates-formes photoniques avancées basées sur SOI, SiN et l’intégration hétérogène
Karim
HASSAN
Chef du laboratoire LIPS (Laboratoire intégration photonique sur silicium)
© UtopikPhoto - CEA
À PROPOS DE
PLASMA ETCH AND STRIP PROCESSES FOR MICRO-, NANO- AND BIO-TECHNOLOGIES
PESM 26 réunit des scientifiques, ingénieurs et partenaires industriels pour échanger sur les avancées et défis du gravage sec, du traitement plasma et des technologies associées pour les semi-conducteurs, les MEMS et les applications émergentes.
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